TOITAの「航空無線通信士受験塾」第35期無線工学第3章半導体・電子管・電子回路 (6)FETの特徴と半導体の温度特性
第3章半導体・電子管・電子回路(6)FETの特徴と半導体の温度特性今回は前回お話を致しました電界効果トランジスター(FETトランジスター)の特徴と半導体の温度特性のお話しを致します。1.FETの特徴(a)トランジスターの場合、ベースとエミッター間が入力となりベースにはIbが流れる事から入力インピーダンスが低いのですが、接合型FETでは、入力となるゲートとソース間が逆バイアスですのでゲート電流が殆ど流れない為、入力インピーダンスが高い事になります。特にMOS型FETは、ソースとドレイン間のチャンネルの上に酸化シリコンの絶縁物が有る為、ゲートとチャンネルの間には電流が流れませんので入力インピーダンスが極めて高い事になります。(b)周波数特性が良い。増幅回路は、周波数が0[Hz](直流)~高周波までどんな周波数...TOITAの「航空無線通信士受験塾」第35期無線工学第3章半導体・電子管・電子回路(6)FETの特徴と半導体の温度特性
2024/10/30 08:15